Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

MSCSM120TLM31C3AG

PM-MOSFET-SIC-SBD-SP3F

Paket/Kılıf
Module
Seri / Aile Numarası
MSCSM120TLM31C3AG

MSCSM120TLM31C3AG Hakkında

MSCSM120TLM31C3AG, Microchip Technology tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) tabanlı Power MOSFET modülüdür. Dört N-Channel transistörden oluşan bu bileşen, Three Level Inverter uygulamaları için tasarlanmıştır. 1200V (Vdss) yüksek voltaj yeteneği ve 89A sürekli drain akımı ile güç çevirici, motor sürücü ve endüstriyel uygulamalarda kullanılır. 31mΩ on-resistance değeri ile düşük kayıplar sağlar. 232nC gate charge ve 3020pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama performansı sunar. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir operasyon yapabilir. SP3F modül paketinde sunulan bu bileşen, chassis mount tipi montaj yöntemi kullanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 89A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
FET Feature Silicon Carbide (SiC)
FET Type 4 N-Channel (Three Level Inverter)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 232nC @ 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3020pF @ 1000V
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case Module
Part Status Active
Power - Max 395W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 31mOhm @ 40A, 20V
Supplier Device Package SP3F
Vgs(th) (Max) @ Id 2.8V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok