Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

MSCSM120TLM16C3AG

PM-MOSFET-SIC-SBD-SP3F

Paket/Kılıf
Module
Seri / Aile Numarası
MSCSM120TLM16C3AG

MSCSM120TLM16C3AG Hakkında

Microchip Technology tarafından üretilen MSCSM120TLM16C3AG, Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayalı 4 adet N-Channel MOSFET'ten oluşan modüler bir transistör dizisidir. SP3F paket tipinde sunulan bu komponent, 1200V drain-source gerilimi ve 173A sürekli drenaj akımı ile yüksek gerilim ve yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 16mOhm açık kanal direnci, düşük enerji kaybı sağlayarak verimliliği artırır. Üç seviyeli inverter yapısında tasarlanmış olup, güç elektronikleri, enerji dönüştürücüleri, solar inverterler ve endüstriyel motor sürücü uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. -40°C ile 175°C arasında güvenli çalışma sıcaklığına sahip ve 745W maksimum güç yönetebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 173A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
FET Feature Silicon Carbide (SiC)
FET Type 4 N-Channel (Three Level Inverter)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 464nC @ 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6040pF @ 1000V
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case Module
Part Status Active
Power - Max 745W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 80A, 20V
Supplier Device Package SP3F
Vgs(th) (Max) @ Id 2.8V @ 2mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok