Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
MSCSM120TLM11CAG
PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- MSCSM120TLM11CAG
MSCSM120TLM11CAG Hakkında
Microchip Technology tarafından üretilen MSCSM120TLM11CAG, Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayalı 4 N-Channel MOSFET dizisidir. Üç seviyeli invertör uygulamaları için tasarlanan bu modül, 1200V drain-source gerilimi ile 251A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 10.4mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. 696nC gate charge ve 9000pF input capacitance karakteristikleri hızlı anahtarlama uygulamalarında etkin çalışma imkanı tanır. -40°C ile 175°C arası çalışma sıcaklığı aralığında kararlı performans gösterir. Güç elektoniği, enerji dönüştürme, motorlar ve endüstriyel sürücü uygulamalarında kullanılır. SP6C paketinde chassis mount konfigürasyonu ile tedarik edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 251A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 4 N-Channel (Three Level Inverter) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 696nC @ 20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9000pF @ 1000V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1042W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.4mOhm @ 120A, 20V |
| Supplier Device Package | SP6C |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 3mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok