Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
MSCSM120TLM08CAG
PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- MSCSM120TLM08CAG
MSCSM120TLM08CAG Hakkında
MSCSM120TLM08CAG, Microchip Technology tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) tabanlı Power MOSFET modülüdür. 4 N-Channel FET içeren bu bileşen, Three Level Inverter uygulamaları için tasarlanmıştır. 1200V (Vdss) yüksek voltaj desteği ve 333A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 7.8mOhm (Rds On) düşük iç direnç değeri sayesinde enerji kaybı minimumda tutulur. SP6C kasa tipi ile Chassis Mount montajına uygun olan bu modül, güç elektronikleri, endüstriyel sürücüler, fotovoltaik inverterleri ve elektrikli araç uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -40°C ile 175°C arasında çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 333A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 4 N-Channel (Three Level Inverter) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 928nC @ 20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 12000pF @ 1000V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1378W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.8mOhm @ 80A, 20V |
| Supplier Device Package | SP6C |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 4mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok