Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

MSCSM120TAM31CT3AG

PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F

Paket/Kılıf
Module
Seri / Aile Numarası
MSCSM120TAM31CT

MSCSM120TAM31CT3AG Hakkında

MSCSM120TAM31CT3AG, Microchip Technology tarafından üretilen 6 adet N-Channel Silicon Carbide (SiC) MOSFET'ten oluşan bir güç modülüdür. 3-faz invertör ve köprü uygulamaları için tasarlanmış bu bileşen, 1200V Drain-Source gerilim ve 89A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 31mΩ maksimum on-state direnci ile düşük kayıplar sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışan modül, endüstriyel sürücü kontrol, güç dönüştürücüler, elektrik araç şarj sistemleri ve yenilenebilir enerji uygulamalarında kullanılır. SP3F paket tipi ile chassis montajına uygun, 395W maksimum güç yönetimi kapasitesi sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 89A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
FET Feature Silicon Carbide (SiC)
FET Type 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 232nC @ 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3020pF @ 1000V
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case Module
Part Status Active
Power - Max 395W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 31mOhm @ 40A, 20V
Supplier Device Package SP3F
Vgs(th) (Max) @ Id 2.8V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok