Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
MSCSM120TAM11CTPAG
PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP6P
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- MSCSM120TAM11
MSCSM120TAM11CTPAG Hakkında
MSCSM120TAM11CTPAG, Microchip Technology tarafından üretilen 6 N-Channel Silicon Carbide (SiC) MOSFET dizisidir. 3-faz köprü konfigürasyonunda tasarlanmış bu bileşen, 1200V drain-source gerilimi ve 251A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 10.4mΩ on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Chassis mount modülü olarak tasarlandığından yüksek güç uygulamalarında kullanılır. İndüktör motorlar, güç dönüştürücüler, invertörler ve elektrik araçları için motor sürücü sistemlerinde tercih edilir. -40°C ile 175°C arasında çalışabilmesi geniş sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. SP6-P paketinde sunulan bileşen endüstriyel uygulamalar için uygun bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 251A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 696nC @ 20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9060pF @ 1000V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.042kW (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.4mOhm @ 120A, 20V |
| Supplier Device Package | SP6-P |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 3mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok