Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
MSCSM120HM50CT3AG
PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- MSCSM120HM50CT3A
MSCSM120HM50CT3AG Hakkında
MSCSM120HM50CT3AG, Microchip Technology tarafından üretilen 4 N-Channel Silicon Carbide (SiC) MOSFET dizi modülüdür. 1200V drain-source voltaj ve 55A sürekli drain akım kapasitesine sahiptir. 50mΩ on-resistance değeri ile enerji kaybını minimize eder. -40°C ile 175°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir operasyon sağlar. Yüksek voltajlı güç dönüştürme uygulamaları, invertörler ve motor sürücü sistemlerinde kullanılır. SP3F modül paketi ile şasis montajı yapılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 55A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 4 N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 137nC @ 20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1990pF @ 1000V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 245W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 40A, 20V |
| Supplier Device Package | SP3F |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.7V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok