Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
MSCSM120HM31CT3AG
PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- MSCSM120HM31CT
MSCSM120HM31CT3AG Hakkında
MSCSM120HM31CT3AG, Microchip Technology tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) tabanlı dört N-Channel MOSFET'ten oluşan bir transistör dizisi modülüdür. 1200V Drain-Source voltaj desteği ve 89A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak için tasarlanmıştır. 31mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. Şasi montajı için SP3F paket tipi ile sunulan bu komponent, enerji dönüştürme sistemleri, güç kaynakları, fotovoltaik inverterleri ve endüstriyel motor sürücüleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 89A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 4 N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 232nC @ 20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3020pF @ 1000V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 395W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31mOhm @ 40A, 20V |
| Supplier Device Package | SP3F |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok