Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
MSCSM120HM16CT3AG
PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- MSCSM120HM16CT3
MSCSM120HM16CT3AG Hakkında
MSCSM120HM16CT3AG, Microchip Technology tarafından üretilen 4 N-Channel Silicon Carbide (SiC) MOSFET modülüdür. 1200V drain-source voltaj ve 173A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, düşük on-state direnç (16mΩ @ 80A, 20V) ile karakterize edilir. Chassis mount SP3F paketinde sunulan modül, yüksek sıcaklık ortamlarında (-40°C ile 175°C arasında) çalışır ve 745W güç yönetebilir. SiC teknolojisi sayesinde hızlı anahtarlama ve verimli enerji dönüşümü özellikleri ile endüstriyel güç dönüştürme, elektrikli araç sürücüleri, yenilenebilir enerji sistemleri ve hassas anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 173A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 4 N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 464nC @ 20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6040pF @ 1000V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 745W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 80A, 20V |
| Supplier Device Package | SP3F |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 2mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok