Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

MSCSM120DUM16T3AG

PM-MOSFET-SIC-SP3F

Paket/Kılıf
Module
Seri / Aile Numarası
MSCSM120DUM16T3AG

MSCSM120DUM16T3AG Hakkında

Microchip Technology tarafından üretilen MSCSM120DUM16T3AG, Silicon Carbide (SiC) tabanlı dual N-Channel MOSFET transistör dizisidir. 1200V drain-source gerilim ve 173A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 16mΩ maksimum on-state direnci ile düşük güç kaybı sağlar. Chassis mount tipi paket ile endüstriyel güç dönüştürücüleri, invertörler, UPS sistemleri ve elektrik araç güç elektronikleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 745W maksimum güç dağıtabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 173A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
FET Feature Silicon Carbide (SiC)
FET Type 2 N-Channel (Dual) Common Source
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 464nC @ 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6040pF @ 1000V
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case Module
Part Status Active
Power - Max 745W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 80A, 20V
Supplier Device Package SP3F
Vgs(th) (Max) @ Id 2.8V @ 2mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok