Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
MSCSM120DUM11T3AG
PM-MOSFET-SIC-SP3F
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- MSCSM120DUM11T3AG
MSCSM120DUM11T3AG Hakkında
Microchip Technology tarafından üretilen MSCSM120DUM11T3AG, Silicon Carbide (SiC) teknolojisini kullanarak tasarlanmış dual N-Channel MOSFET transistör modülüdür. 1200V drain-source voltaj kapasitesi, 254A sürekli drenaj akımı ve 1067W maksimum güç yeteneğine sahiptir. 10.4mΩ maksimum on-resistance değeri ile verimli güç iletimini destekler. -40°C ile 175°C arasında çalışabilir. SP3F paketinde chassis mount konfigürasyonunda sunulur. Yüksek voltaj ve yüksek akım uygulamaları, endüstriyel güç dönüştürme sistemleri, elektrikli araç şarj sistemleri, fotovoltaik inverterleri ve UPS cihazlarında kullanılmaya uyygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 254A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 696nC @ 20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9060pF @ 1000V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1067W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.4mOhm @ 120A, 20V |
| Supplier Device Package | SP3F |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 3mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok