Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
MSCSM120DUM08T3AG
PM-MOSFET-SIC-SP3F
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- MSCSM120DUM08T3AG
MSCSM120DUM08T3AG Hakkında
MSCSM120DUM08T3AG, Microchip Technology tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) tabanlı dual N-channel MOSFET modulüdür. 1200V drain-source voltaj kapasitesi ve 337A sürekli drenaj akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 7.8mΩ on-state resistance ile enerji verimliliği sağlar. Geniş sıcaklık aralığında (-40°C ~ 175°C) çalışabilen bu bileşen, enerji dönüştürme, endüstriyel sürücüler ve elektrik araç uygulamalarında tercih edilir. SP3F paketi ile chassis mount konfigürasyonunda sunulur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 337A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 928nC @ 20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 12100pF @ 1000V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1409W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.8mOhm @ 80A, 20V |
| Supplier Device Package | SP3F |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 4mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok