Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
MSCSM120DUM042AG
PM-MOSFET-SIC-SP6C
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- MSCSM120DUM042AG
MSCSM120DUM042AG Hakkında
Microchip Technology tarafından üretilen MSCSM120DUM042AG, Silicon Carbide (SiC) teknolojisi tabanlı dual N-channel MOSFET modülüdür. 1200V drain-source voltajında 495A sürekli akım kapasitesine sahip bu bileşen, 5.2mΩ (240A, 20V) on-state direncine ve 2031W maksimum güç dissipasyonuna sahiptir. Common source konfigürasyonunda tasarlanan cihaz, 1392nC gate charge ve 18100pF input capacitance değerleriyle çalışmaktadır. -40°C ile 175°C arasında çalışabilen bu modül, yüksek voltaj ve yüksek akım uygulamalarında, özellikle güç dönüştürücü, inverter ve motor sürücü devrelerde tercih edilmektedir. Chassis mount tipi kasa ile endüstriyel ve otoomotiv uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 495A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1392nC @ 20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 18100pF @ 1000V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2031W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2mOhm @ 240A, 20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 6mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok