Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
MSCSM120DUM027AG
PM-MOSFET-SIC-SP6C
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- MSCSM120DUM027AG
MSCSM120DUM027AG Hakkında
Microchip Technology tarafından üretilen MSCSM120DUM027AG, Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayalı yüksek güç yoğunluklu bir MOSFET dizi modülüdür. Dual N-Channel yapısındaki bu komponent, 1200V drain-source gerilimi ve 733A sürekli akım kapasitesiyle güç elektrik uygulamalarında kullanılır. 3.5mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Chassi montajlı konfigürasyonu ve -40°C ile 175°C arasında geniş çalışma sıcaklığı aralığı, enerji dönüştürme sistemleri, endüstriyel sürücü devreleri ve güç kaynağı uygulamalarında tercih edilmesini sağlar. 2088nC gate charge ve 27000pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 733A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2088nC @ 20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 27000pF @ 1000V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2968W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 360A, 20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 9mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok