Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
MSCSM120AM50CT1AG
PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP1F
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- MSCSM120AM50CT
MSCSM120AM50CT1AG Hakkında
MSCSM120AM50CT1AG, Microchip Technology tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) tabanlı N-Channel MOSFET dizisidir. 1200V Vdss derecelendirilmesi ile yüksek voltaj uygulamalarına uygun olup, 55A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. Phase Leg konfigürasyonunda iki N-Channel transistör içeren bu modül, çevirici (inverter), anahtarlama güç kaynakları ve motor sürücüleri gibi uygulamalarda kullanılır. 50mΩ RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sunar. -40°C ile 175°C arasında çalışan bu component, SP1F kasa tipinde Chassis Mount montajı ile uygulanır. 245W maksimum güç derecelendirilmesi endüstriyel ve enerji dönüştürme sistemlerinde tercih edilen bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 55A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 2 N Channel (Phase Leg) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 137nC @ 20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1990pF @ 1000V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 245W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 40A, 20V |
| Supplier Device Package | SP1F |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.7V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok