Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
MSCSM120AM31CT1AG
PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP1F
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- MSCSM120AM31CT1AG
MSCSM120AM31CT1AG Hakkında
MSCSM120AM31CT1AG, Microchip Technology tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) MOSFET modülüdür. Tam N-channel phase-leg konfigürasyonunda iki transistör içerir. 1200V yüksek voltaj uygulamalarına ve 89A sürekli drenaj akımına sahiptir. 31mΩ düşük RDS(On) değeri ile anahtarlama kayıplarını minimize eder. Gate charge 232nC olup, 395W güç dağılımı kapasitesi bulunmaktadır. -40°C ile 175°C arası çalışma sıcaklığında güvenilir işlem sağlar. SP1F modül paketi ile chassis mount uygulamalarında kullanıldığında yüksek ısı transferi ve kompakt tasarım avantajı sunar. Elektrik araçları, endüstriyel invertörler, güç kaynakları ve yenilenebilir enerji uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 89A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 2 N Channel (Phase Leg) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 232nC @ 20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3020pF @ 1000V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 395W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31mOhm @ 40A, 20V |
| Supplier Device Package | SP1F |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok