Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

MSCSM120AM16CT1AG

PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP1F

Paket/Kılıf
Module
Seri / Aile Numarası
MSCSM120AM16CT

MSCSM120AM16CT1AG Hakkında

MSCSM120AM16CT1AG, Microchip Technology tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) MOSFET dizi modülüdür. 1200V Drain-Source voltaj desteği ve 173A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 2 N-Channel kanaldan oluşan Phase Leg konfigürasyonu sayesinde invertör ve converter devrelerinde tercih edilir. 16mOhm'luk düşük on-resistance değeri güç kaybını minimize eder. -40°C ile 175°C arasında çalışan modül, enerji dönüşümü, elektrikli araç şarj sistemleri ve endüstriyel güç elektroniği uygulamalarında kullanım için tasarlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 173A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
FET Feature Silicon Carbide (SiC)
FET Type 2 N Channel (Phase Leg)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 464nC @ 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6040pF @ 1000V
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case Module
Part Status Active
Power - Max 745W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 80A, 20V
Supplier Device Package SP1F
Vgs(th) (Max) @ Id 2.8V @ 2mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok