Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
MSCSM120AM11CT3AG
PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- MSCSM120AM11CT
MSCSM120AM11CT3AG Hakkında
Microchip Technology tarafından üretilen MSCSM120AM11CT3AG, Silicon Carbide (SiC) tabanlı N-Channel MOSFET modülüdür. Phase leg konfigürasyonunda tasarlanmış bu bileşen, 1200V drain-source gerilimi ve 254A sürekli drenaj akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmaktadır. 10.4mΩ on-state direnci ve düşük gate charge karakteristiği ile anahtarlama kayıplarını minimize eder. -40°C ile 175°C arasında çalışabilmesi, enerji dönüşüm sistemleri, elektrik araç sürücüleri, endüstriyel invertörler ve güç kaynakları gibi alanlarda uygulanabilir. Chassis mount SP3F modül paketi ile sağlanan komponent, 1.067kW maksimum güç yönetimi kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 254A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 2 N Channel (Phase Leg) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 696nC @ 20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9060pF @ 1000V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.067kW (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.4mOhm @ 120A, 20V |
| Supplier Device Package | SP3F |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 3mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok