Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
MSCSM120AM08CT3AG
PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- MSCSM120AM08CT3AG
MSCSM120AM08CT3AG Hakkında
Microchip Technology tarafından üretilen MSCSM120AM08CT3AG, Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayalı 2 adet N-Channel MOSFET'in phase leg konfigürasyonunda bir modüldür. 1200V Drain-Source gerilim derecelendirmesi ve 337A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 7.8mOhm On-Resistance değeri ile verimli iletim sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışabilen bu bileşen, motor sürücüleri, güç kaynakları, AC/DC dönüştürücüler ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. Chassis mount SP3F paket tipi ile panel montajı yapılabilir. 928nC gate charge ve düşük input kapasitansi hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 337A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 2 N Channel (Phase Leg) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 928nC @ 20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 12.08pF @ 1000V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.409kW (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.8mOhm @ 160A, 20V |
| Supplier Device Package | SP3F |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 4mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok