Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
MSCSM120AM042CT6AG
PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP6C
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- MSCSM120AM042CT6AG
MSCSM120AM042CT6AG Hakkında
Microchip Technology tarafından üretilen MSCSM120AM042CT6AG, Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayanan yüksek voltaj N-Channel MOSFET modülüdür. 1200V drain-source voltaj ve 495A sürekli akım kapasitesine sahip bu bileşen, iki adet N-Channel transistörün fase ayağı konfigürasyonunda bir araya getirildiği dizi yapısındadır. 5.2mOhm'luk düşük RDS(on) değeri ve 1392nC gate charge ile verimli anahtarlama sağlar. -40°C ile +175°C arasında çalışan bu modül, chassis mount tipi SP6C paketinde sunulmaktadır. Güç elektroniği uygulamalarında, invertörler, anahtarlamalı güç kaynakları ve motor sürücülerinde kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 495A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 2 N Channel (Phase Leg) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1392nC @ 20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 18.1pF @ 1000V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2.031kW (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2mOhm @ 240A, 20V |
| Supplier Device Package | SP6C |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 6mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok