Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
MSCSM120AM042CD3AG
PM-MOSFET-SIC-SBD~-D3
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- MSCSM120AM042CD3AG
MSCSM120AM042CD3AG Hakkında
Microchip Technology tarafından üretilen MSCSM120AM042CD3AG, Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayanan yüksek voltaj N-Channel MOSFET dizi modülüdür. 1200V drain-source voltaj ve 495A sürekli akım kapasitesi ile tasarlanmıştır. 5.2mOhm (20V, 240A'da) düşük on-state direnci sayesinde enerji kaybını minimize eder. Phase Leg konfigürasyonunda iki N-Channel transistör içerir. -40°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 2.031kW maksimum güç yönetiminde kullanılabilir. Endüstriyel güç dönüştürme, motor kontrol, enerji depolaması ve yenilenebilir enerji uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. D3 paket tipi ile Chassis Mount montajı destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 495A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 2 N Channel (Phase Leg) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1392nC @ 20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 18.1pF @ 1000V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2.031kW (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2mOhm @ 240A, 20V |
| Supplier Device Package | D3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 6mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok