Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

MSCSM120AM03CT6LIAG

PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP6C LI

Paket/Kılıf
Module
Seri / Aile Numarası
MSCSM120AM03CT6LI

MSCSM120AM03CT6LIAG Hakkında

MSCSM120AM03CT6LIAG, Microchip Technology tarafından üretilen yüksek akım kapasiteli Silicon Carbide (SiC) MOSFET modülüdür. 1200V drain-source voltajı ve 805A sürekli akım kapasitesi ile güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. İki adet N-Channel FET'i phase leg konfigürasyonunda içeren bu bileşen, düşük 3.1mOhm on-resistance değeri sayesinde ısıl kaybı minimize eder. -40°C ile 175°C arasında çalışan modül, endüstriyel güç kaynakları, elektrikli araç drivetrain sistemleri, yenilenebilir enerji uygulamaları ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. SP6C LI chassis mount paketi ile sağlanan bileşen, 3.215kW maksimum güç yönetimi kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 805A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
FET Feature Silicon Carbide (SiC)
FET Type 2 N Channel (Phase Leg)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2320nC @ 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 30200pF @ 1kV
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case Module
Part Status Active
Power - Max 3.215kW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.1mOhm @ 400A, 20V
Supplier Device Package SP6C LI
Vgs(th) (Max) @ Id 2.8V @ 10mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok