Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

MSCSM120AM02CT6LIAG

PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP6C LI

Paket/Kılıf
Module
Seri / Aile Numarası
MSCSM120AM02CT

MSCSM120AM02CT6LIAG Hakkında

MSCSM120AM02CT6LIAG, Microchip Technology tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) tabanlı Power MOSFET modülüdür. 1200V drain-source gerilimi ve 947A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 2 adet N-Channel transistörden oluşan Phase Leg konfigürasyonunda tasarlanmıştır. 2.6mΩ on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışabilen modül, 3.75kW güç yönetiminde kullanılan endüstriyel kontrol sistemleri, elektrik motor sürücüleri ve güç elektronik dönüştürücülerinde uygulanır. SP6C LI paketinde chassis mount olarak sunulur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 947A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
FET Feature Silicon Carbide (SiC)
FET Type 2 N Channel (Phase Leg)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2784nC @ 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 36240pF @ 1000V
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case Module
Part Status Active
Power - Max 3.75kW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6mOhm @ 480A, 20V
Supplier Device Package SP6C LI
Vgs(th) (Max) @ Id 2.8V @ 12mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok