Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
MSCSM120AM027CT6AG
PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP6C
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- MSCSM120AM027CT
MSCSM120AM027CT6AG Hakkında
MSCSM120AM027CT6AG, Microchip Technology tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) tabanlı Power MOSFET modülüdür. İki adet N-Channel FET'ten oluşan bu faz-ayağı (Phase Leg) konfigürasyonu, 1200V Drain-Source gerilimi ve 733A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle çalışır. 3.5mΩ on-direnç (Rds On) sayesinde düşük kayıplar sağlar. SP6C paket tipiyle chassis montajı için tasarlanmıştır. -40°C ile +175°C sıcaklık aralığında çalışabilir ve 2.97kW maksimum güç saçabilir. Verimli güç dönüştürme uygulamaları, endüstriyel sürücüler, enerji sistemleri ve yüksek gerilim anahtarlama devrelerinde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 733A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 2 N Channel (Phase Leg) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2088nC @ 20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 27000pF @1000V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2.97kW (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 360A, 20V |
| Supplier Device Package | SP6C |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 9mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok