Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
MSCSM120AM027CD3AG
PM-MOSFET-SIC-SBD~-D3
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- MSCSM120AM027CD3
MSCSM120AM027CD3AG Hakkında
Microchip Technology tarafından üretilen MSCSM120AM027CD3AG, Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayanan N-Channel MOSFET dizi modülüdür. 1200V drain-source gerilimi ve 733A sürekli drenaj akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. Düşük on-resistance değeri (3.5mOhm @ 360A, 20V) ile verim kaybını minimize eder. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sağlar. 2.97kW maksimum güç yeteneği ile endüstriyel konvertörler, güç kaynakları, motor sürücüleri ve yenilenebilir enerji sistemlerinde uygulanır. Şasi montaj tipi D3 pakete sahip modül yapısı, yüksek akım uygulamalarında etkin ısıl yönetim sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 733A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 2 N Channel (Phase Leg) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2088nC @ 20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 27000pF @1000V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2.97kW (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 360A, 20V |
| Supplier Device Package | D3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 9mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok