Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
MSCMC170AM08CT6LIAG
PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP6C LI
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- MSCMC170AM08CT6
MSCMC170AM08CT6LIAG Hakkında
MSCMC170AM08CT6LIAG, Microchip Technology tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) MOSFET modülüdür. 1700V Drain-Source gerilimi ve 280A sürekli dren akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 2 N-Channel transistörün faz ayağı konfigürasyonunda tasarlanan bu komponent, 11.7mOhm on-resistance ve 1780W maksimum güç kapasitesine sahiptir. Endüstriyel güç dönüştürme, kaynak sistemleri ve motor sürücüleri gibi uygulamalarda tercih edilir. SP6C LI paketinde chassis mount tipi olup, -40°C ile 150°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 280A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1700V (1.7kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 2 N Channel (Phase Leg) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1128nC @ 20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 22000pF @ 1000V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1780W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.7mOhm @ 300A, 20V |
| Supplier Device Package | SP6C LI |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 108mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok