Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

MSCMC120AM07CT6LIAG

PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP6C LI

Paket/Kılıf
Module
Seri / Aile Numarası
MSCMC120AM07CT6

MSCMC120AM07CT6LIAG Hakkında

MSCMC120AM07CT6LIAG, Microchip Technology tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) tabanlı 2 kanal N-channel MOSFET dizi modülüdür. 1200V (Vdss) bloklama gerilimi ile 264A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 8.7mΩ (20V, 240A koşullarında) on-state direnci düşük geçiş kayıpları sağlar. Kasa montajı SP6C LI paket ile sunulan bu bileşen, maksimum 1350W güç yönetimi yapabilir. -40°C ile 175°C arasında çalışmaya uygun tasarlanmıştır. Yüksek voltajlı anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürme devreleri, endüstriyel sürücüler ve elektriksel araç sistemlerinde kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 264A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
FET Feature Silicon Carbide (SiC)
FET Type 2 N Channel (Phase Leg)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 690nC @ 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 11400pF @ 1000V
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case Module
Part Status Active
Power - Max 1350W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.7mOhm @ 240A, 20V
Supplier Device Package SP6C LI
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 60mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok