Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
MSCMC120AM04CT6LIAG
PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP6C LI
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- MSCMC120AM04CT6
MSCMC120AM04CT6LIAG Hakkında
MSCMC120AM04CT6LIAG, Microchip Technology tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) tabanlı Power MOSFET modülüdür. 2 adet N-Channel transistörden oluşan phase leg konfigürasyonunda tasarlanmıştır. 1200V Drain-Source voltaj derecelemesi ve 388A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. 5.7mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışır ve 1754W maksimum güç yönetimi yapabilir. Endüstriyel motor sürücüleri, güç kaynakları, kaynak makinaları ve enerji dönüştürme sistemlerinde uygulanır. SP6C LI kasa tipinde chassis mount montajı yapılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 388A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 2 N Channel (Phase Leg) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 966nC @ 20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 16700pF @ 1000V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1754W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.7mOhm @ 300A, 20V |
| Supplier Device Package | SP6C LI |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 90mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok