Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

MSCMC120AM03CT6LIAG

PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP6C LI

Paket/Kılıf
Module
Seri / Aile Numarası
MSCMC120AM03CT

MSCMC120AM03CT6LIAG Hakkında

MSCMC120AM03CT6LIAG, Microchip Technology tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayalı bir Power MOSFET modülüdür. 2 adet N-Channel transistörden oluşan phase leg konfigürasyonunda tasarlanmıştır. 1200V drain-source voltajında 631A sürekli akım kapasitesine sahip olan bu bileşen, 3.4mΩ on-resistance değeri ile düşük enerji kaybı sağlar. -40°C ile 175°C arasında güvenilir çalışma sunar ve 2778W güç yönetimi kapasitesine sahiptir. Endüstriyel uygulamalar, güç dönüştürme sistemleri ve yüksek voltaj anahtarlama devrelerinde kullanılır. SP6C LI paket tipinde chassis mount konfigürasyonuyla sağlanır. Aktif durumdadır ve yüksek frekanslı uygulamalar için optimize edilmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 631A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
FET Feature Silicon Carbide (SiC)
FET Type 2 N Channel (Phase Leg)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1610nC @ 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 27900pF @ 1000V
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case Module
Part Status Active
Power - Max 2778W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4mOhm @ 500A, 20V
Supplier Device Package SP6C LI
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 150mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok