Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
MSCMC120AM02CT6LIAG
PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP6C LI
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- MSCMC120AM02CT6
MSCMC120AM02CT6LIAG Hakkında
MSCMC120AM02CT6LIAG, Microchip Technology tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) tabanlı N-Channel MOSFET modülüdür. 1200V drain-source voltaj desteği ve 742A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. Phase Leg konfigürasyonunda iki N-Channel transistör içerir. 2.85mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli güç iletim sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışır, 3200W maksimum güç harcaması destekler. SP6C LI chassis mount paketi ile endüstriyel konvertör, inverter ve motor sürücü tasarımlarında uygulanır. SiC teknolojisi sayesinde yüksek sıcaklık ortamlarında ve hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 742A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 2 N Channel (Phase Leg) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1932nC @ 20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 33500pF @ 1000V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 3200W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.85mOhm @ 600A, 20V |
| Supplier Device Package | SP6C LI |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 180mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok