Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MSC2712GT1G
TRANS NPN 50V 100MA SC59
MSC2712GT1G Hakkında
MSC2712GT1G, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount TO-236-3 (SC-59, SOT-23-3) paketinde sunulan bu transistör, 50V maksimum collector-emitter gerilimi ve 100mA maksimum collector akımı ile çalışır. 200mW güç dağıtım kapasitesine ve 50MHz transition frequency'sine sahiptir. DC current gain (hFE) değeri 2mA collector akımında 6V Vce'de minimum 200'dür. Maksimum collector cutoff akımı 100nA olup, saturation voltajı 10mA base akımında 100mA collector akımında 500mV'tur. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir. Genel amaçlı anahtarlama ve sinyal amplifikasyon uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 6V |
| Frequency - Transition | 50MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Supplier Device Package | SC-59 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 10mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok