Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MSA1162YT1G
TRANS PNP 50V 0.1A SC-59
MSA1162YT1G Hakkında
MSA1162YT1G, onsemi tarafından üretilen PNP bipolar junction transistör (BJT) olup SC-59 (SOT-23-3) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. Maksimum 50V kolektör-emiter gerilimi ve 100mA kolektör akımı kapasitesine sahip bu transistör, düşük güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 80MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. Maksimum 200mW güç tüketimine sahip olup, 150°C'ye kadar çalışma sıcaklığını destekler. 120 minimum DC current gain ile sinyal amplifikasyonu ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Küçük boyutlu SC-59 paketlemesi, kompakt tasarımlar için elverişlidir. Bileşen şu anda üretim dışı (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 2mA, 6V |
| Frequency - Transition | 80MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 200 mW |
| Supplier Device Package | SC-59 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 10mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok