Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MSA1162GT1G
TRANS PNP 50V 100MA SC59
MSA1162GT1G Hakkında
MSA1162GT1G, onsemi tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). SC-59 (SOT-23-3) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, 50V collector-emitter gerilimi ve 100mA maksimum collector akımı ile çalışır. 80MHz transition frequency özelliğine sahip olan transistör, 200mW maksimum güç dissipasyonu sınırlaması içerisinde işletilir. DC current gain değeri 2mA collector akımında 200'dür. 150°C maksimum junction sıcaklığına dayanabilen bu transistör, genel sinyal amplifikasyon, anahtarlama uygulamaları ve düşük güç tasarımlarında kullanılır. Aktif durumdaki parçanın 500mV saturasyon voltajı, düşük kayıp anahtarlama devreleri için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 6V |
| Frequency - Transition | 80MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Supplier Device Package | SC-59 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 10mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok