Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MSA1162GT1
TRANS GP PNP 50V SC59
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- MSA1162
MSA1162GT1 Hakkında
MSA1162GT1, Rochester Electronics tarafından üretilen genel amaçlı PNP bipolar junction transistördür. SC-59 (SOT-23-3) yüzey montajlı paket içerisinde sunulan bu transistör, 50V maksimum collector-emitter gerilimi ile çalışmaktadır. 100mA maksimum collector akımı ve 200mW maksimum güç yeterlilik sınırı ile sınırlı sinyal uygulamalarında, ses frekansı amplifikasyonunda ve düşük güçlü anahtarlama devrelerinde kullanılabilir. 80MHz transition frequency ile hızlı komütasyon özelliği sunar. Minimum 200 hFE DC current gain değeri, genel sinyal seviyesi amplifikasyon görevleri için uygun parametreleri sağlar. Bileşen, endüstriyel ve consumer elektroniğinde yaygın olarak tercih edilen PNP transistör sınıfında yer almaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 6V |
| Frequency - Transition | 80MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 200 mW |
| Supplier Device Package | SC-59 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 10mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok