Transistörler - Bipolar (BJT) - RF

MS1336

RF TRANS NPN 18V 175MHZ M135

Paket/Kılıf
M135
Seri / Aile Numarası
MS1336

MS1336 Hakkında

MS1336, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar junction transistörüdür (BJT). RF uygulamaları için tasarlanan bu bileşen, 175MHz transition frequency ve 70W maksimum güç kapasitesi ile radyo frekansı amplifikatör devrelerinde kullanılır. 18V collector-emitter breakdown voltajı ve 8A maksimum collector akımı ile orta güç RF sinyal işleme uygulamalarına uygundur. Chassis montajı için stud mount pakette sunulan MS1336, 20 @ 250mA, 5V koşullarında minimum 20 DC current gain (hFE) değerine sahiptir. Endüstriyel ve iletişim ekipmanlarında RF amplifikasyon ve switching uygulamalarında kullanılmıştır. Bileşen şu anda üretim dışı (obsolete) olup, arşiv ve restorasyonu amaçlı projeler için referans bilgi olarak tutulabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 250mA, 5V
Frequency - Transition 175MHz
Gain 10dB
Mounting Type Chassis, Stud Mount
Operating Temperature 200°C (TJ)
Package / Case M135
Part Status Obsolete
Power - Max 70W
Supplier Device Package M135
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 18V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok