Transistörler - Bipolar (BJT) - RF

MS1006

RF TRANS NPN 55V 30MHZ M135

Paket/Kılıf
M135
Seri / Aile Numarası
MS1006

MS1006 Hakkında

MS1006, Microchip Technology tarafından üretilen NPN tipi RF transistörüdür. 55V maksimum collector-emitter gerilimi ve 30MHz transition frequency ile RF uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum 3.25A collector akımı ve 127W güç dağıtma kapasitesi ile orta güç RF amplifikatör ve switching uygulamalarında yer alır. Stud Mount paketinde sunulan bu transistör, 200°C'ye kadar çalışabilir ve 14dB kazanç sağlar. Özellikle AM/FM transmitter, industrial RF haberleşme ve broadcast sistemlerinde kullanılır. M135 paketinde sunulan bu bileşen günümüzde üretilmemektedir ve mevcut stoklar tükenene kadar temin edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 3.25A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 19 @ 1.4A, 6V
Frequency - Transition 30MHz
Gain 14dB
Mounting Type Stud Mount
Operating Temperature 200°C
Package / Case M135
Part Status Obsolete
Power - Max 127W
Supplier Device Package M135
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 55V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok