Transistörler - FET, MOSFET - RF
MRFX600GSR5
TRANS LDMOS 600W 400 MHZ 65V
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- NI-780GS-4L
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- MRFX600GSR5
MRFX600GSR5 Hakkında
MRFX600GSR5, NXP Semiconductors tarafından üretilen dual LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) RF güç transistörüdür. 600W çıkış gücü ile 1.8MHz ile 400MHz frekans aralığında çalışmaya tasarlanmıştır. 65V test gerilimi ve 179V nominal gerilim derecesi ile RF güç amplifikatörü uygulamalarına uygundur. 26.4dB kazanç değeri ile broadcast, iletişim sistemleri, endüstriyel RF ve tıbbi uygulamalarda kullanılır. NI-780GS-4L paketlemesi ile sağlanır. Aktif ürün statüsü ile mevcut tedarik zincirine entegre edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 100 mA |
| Current Rating (Amps) | 10µA |
| Frequency | 1.8MHz ~ 400MHz |
| Gain | 26.4dB |
| Package / Case | NI-780GS-4L |
| Part Status | Active |
| Power - Output | 600W |
| Supplier Device Package | NI-780GS-4L |
| Transistor Type | LDMOS (Dual) |
| Voltage - Rated | 179 V |
| Voltage - Test | 65 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok