Transistörler - FET, MOSFET - RF
MRFX1K80NR5578
RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- OM-1230-4L2L
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- MRFX1K80NR
MRFX1K80NR5578 Hakkında
MRFX1K80NR5578, Rochester Electronics tarafından üretilen RF güç transistörüdür. LDMOS (Laterally Diffused MOSFET) teknolojisine sahip dual yapıda tasarlanmıştır. 1.8MHz ile 400MHz frekans aralığında çalışabilen bu bileşen, 1800W çıkış gücü sağlamaktadır. 179V nominal voltaj ve 65V test voltajında 100mA akım derecelendirilmesiyle, 24.4dB kazanç değerine sahiptir. OM-1230-4L2L paketinde sunulan bu transistör, güç amplifikatörleri, RF vericileri, kablosuz iletişim sistemleri ve endüstriyel RF uygulamalarında kullanılır. Yüksek güç ve geniş frekans aralığı sayesinde profesyonel RF sistemlerinin tasarımında tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 100 mA |
| Current Rating (Amps) | 100mA |
| Frequency | 1.8MHz ~ 400MHz |
| Gain | 24.4dB |
| Package / Case | OM-1230-4L2L |
| Part Status | Active |
| Power - Output | 1800W |
| Supplier Device Package | OM-1230-4L2L |
| Transistor Type | LDMOS (Dual) |
| Voltage - Rated | 179 V |
| Voltage - Test | 65 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok