Transistörler - FET, MOSFET - RF
MRFG35010NT1
RF S BAND, GALLIUM ARSENIDE, N-C
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- PLD-1.5
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- MRFG35010NT1
MRFG35010NT1 Hakkında
MRFG35010NT1, Rochester Electronics tarafından üretilen S-Band RF uygulamaları için tasarlanmış pseudomorphic High Electron Mobility Transistor (pHEMT) tabanlı FET'tir. Gallium Arsenide (GaAs) teknolojisine dayanan bu komponentin 3.55 GHz çalışma frekansında 10 dB kazanç ve 9W çıkış gücü sağlar. 15V derecelendirilmiş voltaj ile 12V test koşullarında 180mA test akımına sahiptir. PLD-1.5 paket tipi ile sağlanan bu transistör, uydu haberleşe, radar sistemleri ve telsiz haberleşme gibi S-Band RF amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Bileşen obsolete durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 180 mA |
| Frequency | 3.55GHz |
| Gain | 10dB |
| Package / Case | PLD-1.5 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 9W |
| Supplier Device Package | PLD-1.5 |
| Transistor Type | pHEMT FET |
| Voltage - Rated | 15 V |
| Voltage - Test | 12 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok