Transistörler - FET, MOSFET - RF
MRFG35003N6T1
RF S BAND, GALLIUM ARSENIDE, N-C
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- PLD-1.5
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- MRFG35003N6T1
MRFG35003N6T1 Hakkında
MRFG35003N6T1, Rochester Electronics tarafından üretilen S-Band RF uygulamaları için tasarlanmış pHEMT FET transistördür. Gallium Arsenide (GaAs) teknolojisine dayanan bu bileşen, 3.55 GHz frekansında çalışmak üzere optimize edilmiştir. 3W çıkış gücü, 9dB kazanç ve 180mA test akımı özellikleriyle haberleşme, radar ve microwave uygulamalarında kullanılır. 8V nominal ve 6V test gerilimi ile çalışan transistör, PLD-1.5 paketinde sunulmaktadır. Yüksek frekans RF amplifikatör ve güç amplifikatör devrelerinde uygulanabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 180 mA |
| Frequency | 3.55GHz |
| Gain | 9dB |
| Package / Case | PLD-1.5 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 3W |
| Supplier Device Package | PLD-1.5 |
| Transistor Type | pHEMT FET |
| Voltage - Rated | 8 V |
| Voltage - Test | 6 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok