Transistörler - FET, MOSFET - RF
MRFE8VP8600HSR5
BROADBAND RF POWER LDMOS TRANSIS
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- NI-1230-4S
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- MRFE8VP8600H
MRFE8VP8600HSR5 Hakkında
MRFE8VP8600HSR5, NXP Semiconductors tarafından üretilen broadband RF power LDMOS transistördür. 860MHz frekans aralığında çalışmaya tasarlanmış bu transistör, 140W çıkış gücü ve 21dB kazanç sağlayarak güçlü RF amplifikasyon uygulamaları için geliştirilmiştir. 50V test voltajında 1.4A test akımı ile çalışan cihaz, maksimum 115V nominal voltajda kullanılabilir. NI-1230-4S paketinde sunulan bu LDMOS transistörü, hücresel ağ, kablo haberleşme, GSM/CDMA/3G uygulamaları ve geniş bant RF güç amplifikatörleri gibi telekomünikasyon sistemlerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 1.4 A |
| Current Rating (Amps) | 20µA |
| Frequency | 860MHz |
| Gain | 21dB |
| Package / Case | NI-1230-4S |
| Part Status | Active |
| Power - Output | 140W |
| Supplier Device Package | NI-1230-4S |
| Transistor Type | LDMOS |
| Voltage - Rated | 115 V |
| Voltage - Test | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok