Transistörler - FET, MOSFET - RF
MRFE6VS25GNR1
RF MOSFET LDMOS 50V TO270-2 GULL
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-270BA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- MRFE6VS25GNR1
MRFE6VS25GNR1 Hakkında
MRFE6VS25GNR1, NXP Semiconductors tarafından üretilen RF MOSFET LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) transistörüdür. TO-270BA paket içinde sunulan bu bileşen, 512MHz frekans bandında çalışmak üzere tasarlanmıştır. 50V test gerilimi ve 133V nominal gerilim ile belirtilen transistör, 25W çıkış gücüne sahiptir. 25.4dB kazanç değeri ile RF amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 10mA test akımında karakterize edilen bu LDMOS transistörü, radyo frekans güç amplifikatörleri, broadband amplifikatörler ve telsiz haberleşme sistemlerinde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 10 mA |
| Frequency | 512MHz |
| Gain | 25.4dB |
| Package / Case | TO-270BA |
| Part Status | Active |
| Power - Output | 25W |
| Supplier Device Package | TO-270-2 GULL |
| Transistor Type | LDMOS |
| Voltage - Rated | 133 V |
| Voltage - Test | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok