Transistörler - FET, MOSFET - RF
MRFE6VP8600HSR6
FET RF 2CH 130V 860MHZ NI1230S
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- NI-1230S
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- MRFE6VP8600H
MRFE6VP8600HSR6 Hakkında
MRFE6VP8600HSR6, NXP Semiconductors tarafından üretilen dual kanal LDMOS RF transistörüdür. 860MHz frekansında çalışan bu bileşen, 125W çıkış gücü sağlayarak yüksek frekanslı güç amplifikasyonu uygulamalarında kullanılır. 130V nominal voltaj desteği ve 19.3dB kazanç karakteristiğiyle RF güç yükselticileri, telsiz haberleşme sistemleri, GSM/DCS BTS uygulamaları ve endüstriyel RF generatörleri gibi alanlarda tercih edilir. NI-1230S paketinde sunulan bu transistör, 50V test voltajında 1.4A akım özelliği gösterir. Ürün üreticiler tarafından durdurulmuş olup, mevcut stoklardan temin edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 1.4 A |
| Frequency | 860MHz |
| Gain | 19.3dB |
| Package / Case | NI-1230S |
| Part Status | Market |
| Power - Output | 125W |
| Supplier Device Package | NI-1230S |
| Transistor Type | LDMOS (Dual) |
| Voltage - Rated | 130 V |
| Voltage - Test | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok