Transistörler - FET, MOSFET - RF
MRFE6VP6600GNR3
TRANS RF LDMOS 600W 50V
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- OM-780G-4L
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- MRFE6VP6600G
MRFE6VP6600GNR3 Hakkında
MRFE6VP6600GNR3, NXP Semiconductors tarafından üretilen 600W çıkış gücüne sahip RF LDMOS transistördür. 50V test voltajı ve 133V nominal voltaj ile çalışan bu bileşen, 230MHz frekans aralığında 24.7dB kazanç sağlar. Dual LDMOS yapısı sayesinde RF güç amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Broadcast, mobil haberleşme ve endüstriyel RF sistemlerinde yüksek güç ihtiyacı olan uygulamalar için tasarlanmıştır. OM-780G-4L paket yapısı ile sunulan komponen, 100mA test akımı ile belirlenmiş özelliklere sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 100 mA |
| Frequency | 230MHz |
| Gain | 24.7dB |
| Package / Case | OM-780G-4L |
| Part Status | Active |
| Power - Output | 600W |
| Supplier Device Package | OM-780G-4L |
| Transistor Type | LDMOS (Dual) |
| Voltage - Rated | 133 V |
| Voltage - Test | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok