Transistörler - FET, MOSFET - RF

MRFE6VP5600HSR6

FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230S

Paket/Kılıf
NI-1230-4S
Seri / Aile Numarası
MRFE6VP5600H

MRFE6VP5600HSR6 Hakkında

MRFE6VP5600HSR6, NXP Semiconductors tarafından üretilen dual LDMOS teknolojisine dayalı RF FET transistörüdür. 230MHz frekans aralığında çalışan bu bileşen, 600W çıkış gücü ve 25dB kazanç değerleri ile RF amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 130V nominal voltaj değeri ile güç amplifikasyon devrelerinde, radyo frekans sistemlerinde ve haberleşme ekipmanlarında yer alır. NI-1230-4S paketinde sunulan transistör, endüstriyel ve profesyonel RF uygulamalarına uygun tasarlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Test 100 mA
Frequency 230MHz
Gain 25dB
Package / Case NI-1230-4S
Part Status Market
Power - Output 600W
Supplier Device Package NI-1230-4S
Transistor Type LDMOS (Dual)
Voltage - Rated 130 V
Voltage - Test 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok