Transistörler - FET, MOSFET - RF

MRFE6VP5600HR5

FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230

Paket/Kılıf
SOT-979A
Seri / Aile Numarası
MRFE6VP5600HR5

MRFE6VP5600HR5 Hakkında

MRFE6VP5600HR5, NXP Semiconductors tarafından üretilen dual channel LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) RF transistörüdür. 230 MHz'de çalışan bu bileşen, 600W çıkış gücü ve 25dB kazanç sağlamaktadır. 130V nominal çalışma voltajı ve SOT-979A paketlemesi ile tasarlanmıştır. Yüksek güç RF amplifikatör uygulamaları, endüstriyel ve kuşe haberleşme sistemlerinde kullanılır. 50V test voltajında 100 mA test akımı ile karakterize edilen bu transistör, güvenilir ve stabil RF performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Test 100 mA
Frequency 230MHz
Gain 25dB
Package / Case SOT-979A
Part Status Active
Power - Output 600W
Supplier Device Package NI-1230-4H
Transistor Type LDMOS (Dual)
Voltage - Rated 130 V
Voltage - Test 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok