Transistörler - FET, MOSFET - RF
MRFE6VP100HSR5
FET RF 2CH 133V 512MHZ NI780
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- NI-780S-4L
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- MRFE6VP100H
MRFE6VP100HSR5 Hakkında
MRFE6VP100HSR5, NXP Semiconductors tarafından üretilen LDMOS teknolojisine dayalı RF FET transistördür. 512MHz frekans aralığında çalışan bu bileşen, 133V nominal gerilim değeri ile tasarlanmıştır. 100W çıkış gücü kapasitesi ve 26dB kazanç karakteristiği ile RF güç amplifikasyonu uygulamalarında kullanılır. NI-780S-4L SMD paketinde sunulan komponent, 50V test geriliminde 100mA test akımı ile karakterize edilmiştir. Haberleşe sistemleri, broadcast, endüstriyel RF uygulamaları ve mobil altyapı cihazlarında güç amplifikasyon aşamalarında yer alır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 100 mA |
| Frequency | 512MHz |
| Gain | 26dB |
| Package / Case | NI-780S-4L |
| Part Status | Active |
| Power - Output | 100W |
| Supplier Device Package | NI-780S-4L |
| Transistor Type | LDMOS |
| Voltage - Rated | 133 V |
| Voltage - Test | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok