Transistörler - FET, MOSFET - RF

MRFE6S9160HSR3

FET RF 66V 880MHZ NI-780S

Paket/Kılıf
NI-780S
Seri / Aile Numarası
MRFE6S9160HSR3

MRFE6S9160HSR3 Hakkında

MRFE6S9160HSR3, NXP Semiconductors tarafından üretilen LDMOS (Laterally Diffused Metal-Oxide-Semiconductor) RF transistörüdür. 880MHz frekans aralığında çalışan bu komponentin 35W çıkış gücü ve 21dB kazancı vardır. 66V nominal gerilimde tasarlanmış olup, 28V test geriliminde 1.2A test akımıyla çalışır. NI-780S pakette sunulan bu transistör, mobil iletişim sistemleri, broadcast amplifikatörleri ve endüstriyel RF uygulamalarında güç amplifikasyonu için kullanılır. Yüksek verimlilik ve sağlam yapısı ile bilinen LDMOS teknolojisi sayesinde güvenilir performans sunar. Parça şu anda piyasada bulunmamakta olup (Obsolete) arşiv uygulamalarında referans değeri taşımaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Test 1.2 A
Frequency 880MHz
Gain 21dB
Package / Case NI-780S
Part Status Obsolete
Power - Output 35W
Supplier Device Package NI-780S
Transistor Type LDMOS
Voltage - Rated 66 V
Voltage - Test 28 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok