Transistörler - FET, MOSFET - RF

MRFE6S9160HSR3

RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-

Paket/Kılıf
NI-780S
Seri / Aile Numarası
MRFE6S9160HS

MRFE6S9160HSR3 Hakkında

MRFE6S9160HSR3, Rochester Electronics tarafından üretilen LDMOS RF transistörüdür. 880MHz frekansında çalışan bu ultra yüksek frekans bant transistörü, 35W çıkış gücü ve 21dB kazanç sağlar. 66V nominal gerilim ve 28V test geriliminde çalışmak üzere tasarlanmıştır. NI-780S paketinde sunulan bu komponent, hücresel iletişim sistemleri, base station amplifikatörleri ve yayın uygulamalarında kullanılır. 1.2A test akımında çalışan LDMOS yapısı, verimli RF güç yönetimi için optimize edilmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Test 1.2 A
Frequency 880MHz
Gain 21dB
Package / Case NI-780S
Part Status Active
Power - Output 35W
Supplier Device Package NI-780S
Transistor Type LDMOS
Voltage - Rated 66 V
Voltage - Test 28 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok