Transistörler - FET, MOSFET - RF

MRFE6S9130HSR3

FET RF 66V 880MHZ NI-780S

Paket/Kılıf
NI-780S
Seri / Aile Numarası
MRFE6S9130HS

MRFE6S9130HSR3 Hakkında

MRFE6S9130HSR3, NXP Semiconductors tarafından üretilen LDMOS tabanlı RF FET transistördür. 880MHz frekans bandında çalışmak üzere tasarlanmış bu bileşen, 66V rated gerilim ile 27W çıkış gücü sağlayabilir. Test koşullarında 28V gerilim altında 950mA akım çekerek 19.2dB kazanç elde eder. NI-780S paket tipi ile sunulan transistör, mobil haberleşme, kablosuz ağ ve broadcast uygulamalarında RF güçlendirici aşamalarında kullanılmıştır. Not: Bu ürün artık üretilmemektedir (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Test 950 mA
Frequency 880MHz
Gain 19.2dB
Package / Case NI-780S
Part Status Obsolete
Power - Output 27W
Supplier Device Package NI-780S
Transistor Type LDMOS
Voltage - Rated 66 V
Voltage - Test 28 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok